事件：连城数控发布 KX420PV 单晶炉新品，采用 MCCz 单晶生长技术，通过引入磁场实现更低的氧碳含量、更高的少子寿命。

(资料图)

投资要点

N 型硅片存在同心圆问题，要求更低氧含量：

N 型对晶体品质和氧碳含量要求很高，典型问题是由原生氧造成造成的同心圆、黑芯片问题，形成原因系高温的硅溶液在坩埚里进行相对高速的对流，因为外面热中间冷，底部热上面冷，硅溶液在坩埚内会形成类似“开锅”的现象，造成硅溶液内部出现流动，不停冲刷石英坩埚，而石英就是二氧化硅，其中含有的氧会在冲刷过程中融入硅溶液，造成晶体里含有较多的氧。

而 TOPCon 后续的高温工艺（如 B 扩散）下，氧非常容易沉淀，形成氧环即同心圆，影响效率和良率，所以 TOPCon 对硅片氧含量更敏感；而HJT 为低温工艺，出现同心圆的概率不高，可以选择高氧含量的硅片。

增加磁场是有效改善方案之一，目前成本较高：

磁场可以解决这个问题，主要系磁场会抑制硅溶液的流动，使硅溶液变得很粘稠，硅溶液流动变慢后，氧含量就会下降，目前半导体级的超导磁场约 500 万元+/台，光伏级约 300 万元+/台，主要系冷冻机、超导线材等成本较高，我们预计未来有望降低至 100 万/台。

除了磁场方案以外，改变坩埚形状、减少坩埚旋转、减少晶体旋转等方式也能够改善同心圆问题，但如果改变工艺参数，对长晶影响非常大，而增加磁场对所有的长晶环节都是有帮助的，唯一的缺点是价格高。

多家设备商均积极布局低氧型单晶炉：

（ 1）晶盛机电： 5 月 22 日（ 今天）新品发布会将发布第五代新品单晶炉。

（ 2）奥特维： 子公司松瓷机电推出高性价比的低氧型单晶炉 SC-1600-LO?，主要通过热场工艺模拟、软控算法增加控氧功能模块等方式，同等条件下，可实现氧含量降低 24%以上，同心圆可降低 50%，试验线验证数据电池片效率提升 0.1%。

（ 3）连城数控： 推出 KX420PV 新品单晶炉，采用 MCCz 技术，通过外加磁场的引入可有效抑制硅熔体热对流，降低氧的形成和传输，同时结合全新设计的氩气吹扫方案、大尺寸排气管道及低流阻设计，匹配大抽速真空干泵和可升降式加热器，最大程度带走氧杂质。目前连城数控已深度掌握磁场模块（永磁场、勾型磁场及水平磁场、超导磁场）用于光伏单晶生长的一系列方案。

投资建议： 硅片设备环节推荐晶盛机电、高测股份；电池片设备环节推荐迈为股份；组件设备环节推荐奥特维；热场环节推荐金博股份。

风险提示： 下游扩产不及预期，研发不及预期。